双日株式会社

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プライマックス社製「成膜装置」の独占販売代理権取得

2002年10月31日

日商岩井メカトロニクス株式会社(本社:東京都千代田区外神田3-16-8、社長:三輪 雅宏、日商岩井株式会社 100%子会社)は、米国プライマックス社(Primaxx Inc.)より、同社の製造する液相式ミスト成膜装置(LSMCD1 、並びに、渦流型CVD装置(Vortex CVD)2 に関し、日本、韓国、台湾における独占販売権を取得しました。

これら量産型成膜装置は、プライマックス社と、半導体プロセスで定評あるSymetrix社(米国)との共同特許を基本とした新技術(LSMCDの微細ミスト化技術)により開発されました。

 1)夢のメモリーと言われるFeRAM,MRAM3 の製造に不可欠なSBT、BST、HfSi4 などの特殊金属層を効率良く成膜する事ができる為、既に日本国内にて7台の稼働実績を持っております
 2)チップの小型化に伴うゲート膜(LowK,HighK)5 の形成にも使用できる事から、内外半導体メーカー各社の生産計画に大きな影響を与えるものと確信しております。
 3)液晶などの光学用途にも採用が検討されており、代表的なITO成膜6 では具体的なプロジェクトが進行しております。

LSMCD、Vortex CVD装置は、高価な真空装置が不要である事や、常圧近辺での成膜が可能である事より、成膜時の安定した環境が得られることが特長です。また、成膜方法としては、目標とする膜と同じ組成の液体をミスト状にし、ウェファー上に積層する事から、異種合金膜の積層、磁性膜の成膜等、狙い通りの組成膜が可能となります。 更に、ミスト状の合金を積層する為、基盤回路への凹凸追従性に優れ、回路設計に大きな自由度が得られる事より、現在既に

 1.FeRAM用の機能性膜形成
 2.FPD(フラットパネルディスプレイ)用の透明電極形成
 3.MEMS(Micromachine)用の機能性膜形成

など各種プロジェクトが進行しております。

FeRAM,MRAMは、今後大きく拡大すると言われている、銀行カード、個人認証カードなどのICカードに対応できる事より、現在のフラッシュメモリー、EEPROM等の代替メモリーとして、国内外の半導体メーカーから期待され、各社とも設備投資の検討段階にあります。

日商岩井メカトロニクス(株)は、初年度10億円、3年目には30億円の装置売上を目標としております。 


以 上

1液相式ミスト成膜装置(LSMCD)
 :液体成膜材料を基に、粒径の整ったミストを作り出し、常圧下で均一な膜を形成する成膜方式
LSMCD(Liquid Source Misted Chemical Depsition)
2渦流型CVD装置(Vortex CVD)
 :複合酸化金属成膜用途の渦流補助式CVD装置     
CVD = Chemical Vapor Deposition(化学気相蒸着)
3FeRAM、MRAM
 :次世代半導体メモリの名称   
FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory) 
MRAM(Magnetic Random Access Memory)
4SBT、BST、HfSi
 :機能性膜を形成する金属材料の名称
5ゲート膜(LowK,HighK)
 :ゲート電極用誘電体膜、絶縁体膜など
LowK (= Low-dielectric constant) 低誘電率ゲート??敬??/???絶縁膜 
High-K (= High-dielectric constant) 高誘電率ゲート絶縁膜
6ITO成膜
 :透明電極膜(酸化インジウムスズ/ITO)成膜

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